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FT-CZ1200Se

8英寸半導體級單晶爐

拉晶過程全程自動化

在惰性氣體環境中,用石墨加熱器將硅材料熔化,

用直拉法生長無位錯單晶的設備。

 

性能優勢

設備主體結構優化,提高了整機穩定性。

具有拉制12英寸COP FREE半導體單晶硅棒的功能。

采用新型隔離閥。

液面高度監控系統。

高精度傳動機構。

雙層水冷套、可升降雙層水冷屏。

8英寸半導體級單晶爐
型號 FT-CZ1200Se
場所 周圍溫度 15~30℃
周圍濕度 ≤65%(無結露,腐蝕氣體)
潔凈度 10000級凈空房
噪音 ≤75db
地基 3000kg/㎡以上
電源 額定電壓 3P 380VAC±10%  50/60Hz
額定電容 320kVA
額定流量 500A
冷卻水 流量范圍 350~400L/min
供給壓力 0.3~0.4MPa
重量 設備高度                                                                       <8290mm                                                            △     
設備重量 約23T

 

 

△ 項數據視上爐筒高度而定,本設備數據不含磁場。

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